在半導體 2nm 工藝節(jié)點突破與機床微米級加工的精密制造時代，設(shè)備水平度的微小偏差都可能導致芯片良率驟降或加工精度失控。日本 SEM 坂本電機推出的 SELN-001B 雙軸精密數(shù)字水平儀，以 ±0.001° 的超高精度和智能化設(shè)計，成為半導體制造與機床校準領(lǐng)域的關(guān)鍵檢測工具，重新定義了工業(yè)測量的精度標準。
雙軸精密測量技術(shù)，重構(gòu)精度控制體系
SELN-001B 的核心優(yōu)勢在于其雙軸同步測量能力，可同時檢測 X/Y 軸傾斜角度，徹消除傳統(tǒng)單軸測量的累積誤差。該產(chǎn)品測量精度達 ±0.001°（17.5μ/m），分辨率高達 0.0002°，零點重復性穩(wěn)定在 ±0.001° 以下，滿足半導體設(shè)備對微小傾斜的嚴苛要求。在半導體光刻工藝中，這種精度可將光刻機工作臺的焦平面偏移控制在納米級范圍，直接提升 EUV 曝光的成像質(zhì)量；而在刻蝕設(shè)備校準中，能有效優(yōu)化等離子體分布均勻性，降低晶圓邊緣與中心的刻蝕速率差異，顯著提升晶圓內(nèi)均勻性（WIU）。
針對機床制造與維護場景，SELN-001B 的雙軸測量技術(shù)可將床身水平校準效率提升 50% 以上。按照精密機床 0.02mm/m 的水平度標準，該儀器能實時捕捉導軌直線度誤差，配合 50 毫秒的極速響應速度，確保在機床運行過程中實現(xiàn)動態(tài)精度監(jiān)控，有效避免因熱變形導致的加工偏差。其微型傳感器（φ50×H19mm）僅重 70 克，可輕松應對機床狹窄部位的水平檢測需求，解決傳統(tǒng)工具無法深入測量的難題。
工業(yè)級環(huán)境適應性，保障復雜場景可靠性
半導體車間的電磁干擾與機床車間的振動環(huán)境，對測量設(shè)備的穩(wěn)定性提出高挑戰(zhàn)。SELN-001B 采用軍工級電磁屏蔽設(shè)計與振動補償算法，能在強電磁環(huán)境中保持測量穩(wěn)定性，確保 ICP 刻蝕機、真空鍍膜機等設(shè)備的校準精度不受干擾。其工作溫度范圍覆蓋 - 10°C 至 + 50°C，完適應半導體無塵車間的恒溫控制要求，在機床長時間運行的溫度波動環(huán)境中仍能保持數(shù)據(jù)可靠。
設(shè)備的智能化設(shè)計進一步提升了工業(yè)適用性。4.3 英寸彩色 LCD 觸摸屏支持 μm/m 與角度單位實時切換，操作人員可直觀讀取測量結(jié)果，避免傳統(tǒng)刻度讀數(shù)的人為誤差。數(shù)據(jù)輸出功能可將測量結(jié)果實時傳輸至云端或本地系統(tǒng)，配合 AI 算法生成三維偏差分析報告，為半導體工廠的數(shù)字化管理與機床的預防性維護提供數(shù)據(jù)支撐。這種 "測量 - 分析 - 調(diào)整" 的閉環(huán)能力，使 SELN-001B 從單純的檢測工具升級為精密制造的過程優(yōu)化系統(tǒng)。
全場景應用覆蓋，賦能精密制造升級
在半導體制造全流程中，SELN-001B 展現(xiàn)出強大的場景適配能力。在光刻機光學系統(tǒng)校準中，可精確調(diào)整反射鏡與透鏡組角度，減少像差對關(guān)鍵尺寸（CD）的影響；在 CMP 化學機械拋光環(huán)節(jié)，能實時監(jiān)測拋光平臺水平度，將晶圓表面粗糙度（Ra）控制在更低水平。對于 3D NAND 堆疊工藝的晶圓鍵合機，其高精度測量可確保鍵合界面的對準精度，顯著降低層間錯位風險。
機床領(lǐng)域，SELN-001B 可廣泛應用于龍門加工中心、臥式車床等設(shè)備的安裝與校準。在床身水平調(diào)整中，通過地腳螺栓微調(diào)將縱向、橫向水平誤差控制在 0.05mm/m 以內(nèi)；在立柱垂直度校準中，配合激光干涉儀實現(xiàn)≤0.03mm/1000mm 的精度控制。其量程切換功能（0.01/0.001/0.0001）可滿足不同精度等級的檢測需求，從粗調(diào)到精校全程覆蓋，大幅提升機床驗收與維護的效率。
作為工業(yè)精密測量的產(chǎn)品，日本 SEM SELN-001B 數(shù)字水平儀以不可替代的精度優(yōu)勢與場景適應性，成為半導體制造與精密機床產(chǎn)業(yè)的工具。
