小型濺射系統(tǒng) SS-DC?RF301的產(chǎn)品特性分析

發(fā)布日期：2023-07-21      瀏覽次數(shù)：799

小型濺射系統(tǒng) SS-DC?RF301的產(chǎn)品特性分析

這是一種使用濺射（通常縮寫(xiě)為濺射）的薄膜沉積裝置。 濺射成膜的特點(diǎn)是飛入基板的顆粒具有相對(duì)較大的能量，因此可以產(chǎn)生具有高附著力的強(qiáng)膜。 另一方面，由于等離子體是用氬氣和其他物質(zhì)制成的，并且這作用于基材，因此基板表面的粗糙度可能是一個(gè)問(wèn)題。
該裝置是一種小型濺射裝置，配備一個(gè)2“磁控管陰極和一個(gè)板加熱機(jī)構(gòu)。 所有功能都封裝在JIS機(jī)架尺寸中，以追求節(jié)省空間和易用性。 我們還擁有與 UHV 兼容的飛濺設(shè)備，并配有交換室。

濺射是薄膜沉積的一個(gè)重要和突出的過(guò)程。在這個(gè)過(guò)程中，要鍍膜的基片被放置在一個(gè)含有惰性氣體（通常是氬氣）的真空室中，并對(duì)靶材施加負(fù)偏壓，在真空室中形成等離子體。此時(shí)，目標(biāo)被連接到陰極，而基片被連接到陽(yáng)極。

  來(lái)自等離子體的離子被加速到陰極，它們以足夠的能量撞擊目標(biāo)，使一些原子或分子移位。這些來(lái)自靶材的濺射材料穿過(guò)腔體，沉積在基片表面。有時(shí)反應(yīng)氣體（例如氧氣或氮?dú)猓┍患尤氲綒鍤庵校瑯颖皇┘迂?fù)偏壓形成等離子體，與真空室中的濺射層原子發(fā)生反應(yīng)。上述反應(yīng)所產(chǎn)生產(chǎn)物沉積在基片表面這個(gè)過(guò)程被稱為反應(yīng)性濺射。



特征

1. 雖然體積小，但具有與成熟的濺射設(shè)備相同的規(guī)格和性能。

2. 憑借其緊湊、輕巧和簡(jiǎn)單的設(shè)計(jì)，它可以安裝在辦公桌的一半左右的空間內(nèi)。

3. 電路板上下機(jī)制允許您任意設(shè)置目標(biāo)和電路板之間的距離。

4. 基板加熱可以在高溫下進(jìn)行。

5. 標(biāo)準(zhǔn)冷水機(jī)組僅允許使用電力和燃?xì)膺\(yùn)行。

6. 法蘭可互換，可以重新組合為向上濺射和向下濺射。

7. 濺射電源可選擇直流或射頻。